如何使用Coolgan进行英飞凌2500W PFC全桥图腾杆功率因数校正

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上传日期: 2019-03-08

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资料介绍

标签:PFC(375)控制器(3827)MOSFET(1538)

  这是一个应用说明,专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正(PFC)演示板,包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器,以及1EDI高压MOSFET驱动程序。

  这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。

  增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。

  我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。

  这个演示板展示了一个高效的PFC阶段,它利用Infineon的CoolGantm技术的优势,将系统效率提高到99%以上,用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。

  增强模式(E模式)氮化镓(GaN)半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷,GaN是一种宽带隙(WBG)材料。因此,这项技术使功率级的新拓扑成为可能,而目前的高压超结(SJ)功率半导体无法解决这一问题。基于这些特性,图腾柱pfc拓扑是利用Infineon的CoolGantm技术优势的完美匹配。

  我们的演示板显示了高达2500瓦的可靠运行,基准效率为99.2%。要实现这一点,只需要两个分立的70 MΩCoolGantm开关和两个分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金开关。所有的动力部件都是表面安装设备(SMD),能够实现更快、更便宜的组装过程。该控制采用英飞凌标准的ICE3连续导通模式(CCM)控制芯片实现。PWM开关频率设置为65 kHz。

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